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现代的随机存取存储器几乎是所有访问设备中写入和读取速度最快的，存取延迟和其他涉及机械运作的存储设备相比，也显得微不足道。现代的随机存取存储器依赖电容器存储数据。电容器充满电后代表1，未充电的代表0。由于电容器或多或少有漏电的情形，若不作特别处理，数据会渐渐随时间流失。
刷新是指定期读取电容器的状态，然后按照原来的状态重新为电容器充电，弥补流失了的电荷。需要刷新正好解释了随机存取存储器的易失性。根据存储单元的工作原理不同， RAM分为：静态RAM和动态RAM。静态存储单元是在静态触发器的基础上附加门控管而构成的。因此，它是靠触发器的自保功能存储数据的。我们平时在一些开发板上都能看见，比如：ISSI的芯片
动态RAM的存储矩阵由动态MOS存储单元组成。动态MOS存储单元利用MOS管的栅极电容来存储信息，但由于栅极电容的容量很小，而漏电流又不可能绝对等于0，所以电荷保存的时间有限。
为了避免存储信息的丢失，必须定时地给电容补充漏掉的电荷。通常把这种操作称为“刷新”或“再生”，因此DRAM内部要有刷新控制电路，其操作也比静态RAM复杂。
尽管如此，由于DRAM存储单元的结构能做得非常简单，所用元件少，功耗低，已成为大容量RAM的主流产品。看到这里，可能有部分读者认为：SDRAM = SRAM + DRAM，这其实是错误的。
SDRAM：Synchronous Dynamic Random-Access Memory，同步动态随机存取内存。SDRAM是有一个同步接口的动态随机存取内存（DRAM）。同步是指Memory工作需要同步时钟，内部命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是由指定地址进行数据读写。
目前的168线64bit带宽内存基本上都采用SDRAM芯片，工作电压3.3V电压，存取速度高达7.5ns，而EDO内存最快为15ns。并将RAM与CPU以相同时钟频率控制，使RAM与CPU外频同步，取消等待时间，所以其传输速率比EDO DRAM更快。
SDRAM从发展到现在已经经历了五代，分别是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM，第五代，DDR4 SDRAM。
第一代SDRAM采用单端（Single-Ended）时钟信号,第二代、第三代与第四代由于工作频率比较快，所以采用可降低干扰的差分时钟信号作为同步时钟。
SRAM是静态随机存储器，主要是依靠触发器存储数据，无需刷新。而DRAM是动态随机存储器，依靠MOSFET中栅电容存储数据，需不断刷新以补充释放的电荷。
由于单管就可以实现数据存储，集成度可以做到更高，功耗也更低，更为主流。需要注意的是由于刷新牵涉电容的充放电过程，DRAM的存取速度不及SRAM。至于SDRAM，为同步动态随机存储器，属于DRAM的一种，其工作过程需要同步时钟的配合。因此可以不考虑路线延时不同的影响，避免不定态。普通的DRAM属于异步传输，存取数据时，必须等待若干个时钟以后才进行操作（考虑不定态），因为会花费较多的时间，影响了数据的传输速率。紧接着时钟频率的不断增高，这个瓶颈的限制就会越来越明显，SDRAM的优势也就更能体现出来。 | 
