使用继电器或者IGBT y以上电路就是使用PWM控制IGBT快速开关实现控制大电流的例子。 IGBT是以GTR为主导元件，MOSFET为驱动元件的达林顿结构的复合器件。其外部有三个电极，分别为G-栅极，C-集电极，E-发射极。  在IGBT使用过程中，可以通过控制其集-射极电压UCE和栅-射极电压UGE的大小，从而实现对IGBT导通/关断/阻断状态的控制。 1）当IGBT栅-射极加上加0或负电压时，MOSFET内沟道消失，IGBT呈关断状态。 2）当集-射极电压UCE＜0时，J3的PN结处于反偏，IGBT呈反向阻断状态。 3）当集-射极电压UCE＞0时，分两种情况： ②若栅-射极电压UGE＜Uth，沟道不能形成，IGBT呈正向阻断状态。 ②若栅-射极电压UGE＞Uth ，栅极沟道形成，IGBT呈导通状态（正常工作）。此时，空穴从P+区注入到N基区进行电导调制，减少N基区电阻RN的值，使IGBT通态压降降低。 本文来自互联网收集整理，由家电维修技术论坛小编精心转载，更多相关文章请到维修论坛交流 黄昊宇 |
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