你们看这个电路图稳压管D2位置错了吗

王重阳

稳压管D2位置错了吗？很多友友怀疑图中D2位置错了，应放在Q2的GS处。
实际上没错的，在实际应用中，往往除了Q1的be结加了保护稳压管外，在Q2的GS处也并联了稳压管，
而且更为重要。

Q1的be结并联稳压管：
主要用于保护PNP三极管的发射结，防止反向电压超过其反向击穿电压（通常5~7V）。当输入电压过高导致be结反向偏压过大时，稳压管可钳位电压，避免Q1损坏。
Q2的栅源极并联稳压管：
主要用于保护P-MOS管的栅源极，防止栅源电压超过最大额定值（通常±20V）。过压时，栅源极可能承受过高电压，稳压管可限制电压，防止绝缘层击穿。

Q1的be结稳压管：可选稳压值5.1V~6.8V（如1N4735A 6.2V），功率0.5W~1W即可。此值低于be结反向击穿电压，但高于正常工作时be结正向压降（0.7V）。
Q2的栅源极稳压管：
根据MOS管的Vgs(max)和电路工作电压选择。例如，若输入正常电压12V，过压保护点15V，MOS管Vgs(max)=±20V，可选稳压值15V~18V（如1N4746A 18V），功率0.5W~1W。

在典型过压保护电路中，常同时使用两个稳压管，分别保护Q1和Q2，提高可靠性。
若只能选其一：优先保护Q2栅源极，因为MOS管栅极更脆弱，且损坏后影响更大。但Q1的be结保护也重要，尤其在高输入电压范围时。

满江红

Q2是N沟道FET,图例画错了，尖头应该朝里，而不是朝外，朝外就是P沟道FET了。