拆解明纬150W LED驱动电源
布局需要注意的有以下方面: 1)流过大电流的电解电容需要并联使用是,应该尽量使用相同规格电容,要相互靠近,不宜分开。并联的电容需要均流,所以要保持相同的阻抗,不同电容阻抗不一样,总阻抗还跟pcb走线长度,温度环境相关,分开使用后很难保证这两方面参数保持一致。 2)电解电容和薄膜电容(包括安规电容)等温度特性不怎么好,持续高温情况下会影响稳定性跟寿命,这类电容自身一般不怎么发热,但是假如贴近或靠近发热量大的元件,如功率电感,变压器,功率MOS,桥堆,功率二极管,大功率电阻等将严重影响稳定性和寿命。 3)大功率电阻有条件的话最好竖起来放增加空气对流,如要横放,千万不要让电阻管体贴着pcb,这样会影响电阻散热还可能会烤黄pcb板材。 4)可调电阻等微调元件不要贴近或靠近发热量大的元件(如功率变压器),一方面因为温度会电阻的阻值和寿命,进而影响可调电路部分精确度,另一方面可调电阻等一般带有机械部分和塑料部分,这些都是不能耐高温的,容易老化损害。 5)工作在低温场合的pcb,特别是面积比较大的时候,必须要在板材无各处尽量均匀的打洞和割槽,不然经过强烈热胀冷缩之后,pcb会变形甚至铜箔翘起。 6)光耦和控制IC不宜放在变压器磁芯结合处切线正下方(卧式变压器尤为严重),因为这个地方散磁通和漏磁通很大,影响到光耦所在的反馈回路,容易使电源不稳定。 7)贴片电容很容易在生产过程中被压坏,所以pcb的贴片面尽量贴一下比最高贴片电容要高一点的贴片元件,这是为了保护贴片电容。 8)插件面尽量让散热器高度略高于最高的电解电容和磁性元件,并使pcb插件面朝下,贴片面朝上的方式摆放时保持平衡,这样有利于在生产中保护磁芯不被碰裂,电解电容不被挤扁,并有利于调试和维修焊接。 9)保修管也有寿命,温度越高,内部金属丝蒸发越快,寿命越短,所以保险管也不应靠近发热量大的元件上,尽量避免用低端的玻璃保险管,假如要用,必须用热缩管套住管体。 10)相近的两个磁性元件应该让磁路方向相互垂直的方向放置。 明纬这个板子在我上面写的10个方面都基本注意得很好,除了pfc部分的cbb电容靠近桥堆的散热器这一点没做到。 这个PFC部分的电路如下:实测输入从75~270VAC能正常工作,输出430V,mos管工作频率为60Khz@100V,140KHz@220V ,附件给出的PFC的拓扑部分电路: 控制部分可以参考NCP1608 规格书。 首先来跟大家探讨一下输出电压为什么取430V而不是400V: 原因一:对提高LLC拓扑效率来说,希望输入电压高一点; 原因二:PFC输出电压越高,开关频率的变化范围将缩小,有利于EMC控制,有利于选择更高的最小开关频率,提高功率密度。 为什么开关频率的变化范围将缩小,由CrM-PFC开关频率的公式就可以知道: 关于这个公式怎么推导的,这个问题不想在这展开,推导公式或许交给大学老师讲解更为清晰有效。但是当电压取430V的时候有个问题需要严重考虑,就是输出电压峰值会不会超过450V的电解电容的额定电压的问题。 明纬的解决方案是: 1)使用有PFC输出过压保护的控制芯片(可参考NCP1608 datasheet); 2)然后就是使用品质很好的电容品牌(黑金刚),大品牌的产品在额定电压上一般留有5-10%以上的余量,450V额定电压的电容最高可工作到475-500V之间; 3)加快环路响应时间(后面会在这个话题上展开),减少过冲和下冲。 继续讨论PFC部分,上面发的PFC拓扑部分的电路图中,功率mos管的驱动电路使用了PNP加速关断电路。 优点有: 1)加快功率mos关断速度,从而减少mos跨越线性区的时间,减少关断损耗; 2)具有单独的地回路,减少IC所在地平面的扰动; 3)增加漏极的dv/di耐受能力。 缺点有: 1)增加成本; 2)更大的dv/dt和di/dt,更严重的EMC问题; 3)关断的时候电压不能到零,会有一个PN结压降。 需要折中考虑的问题:mos开关损耗与EMC问题。mos开关的速度越快,损耗越小,但EMC问题越严重。通常驱动回路阻抗大小都控制在几个欧姆到几十欧姆之间。再看MW这个电路,开启阻抗10来欧姆,关断几个欧姆。由此看来折中点相当偏向于小的损耗方面,意味着需要更多的EMC成本投入。 还有一个问题想跟大家讨论一下:为什么很多的MOS管驱动电路中多注重关闭电路少注重开启电路呢,为什么不把开启和关闭的阻抗设计成一样呢?这样一来,只需一个驱动电阻就能任意调节开关时间了? 我个人觉得: 1)开启电路部分受限于IC驱动的能力; 2)开启瞬间更容易引起回路振荡,为了衰减振荡,限制了选取更小的驱动电阻; 3)开启电路无法独立于IC的地平面,过小的驱动电阻,会是ic所在的地平面扰动加大; 4)mos管Coss电容和漏极寄生电感存在,使得漏极电流Id,不能很快得跟上驱动信号。 把大家关注的LLC变压器和谐振电容参数贴出来: 谐振电容:1000V39nF; 集成变压器:Lp:1450uH,Llk=(207+186)/2 uH,副边采用全波整流; 匝数比:n=4.67。 其中漏感是通过短路其中一副边主输出绕组测出,两个副边主输出绕组对应的漏感不太对称。 可能有网友认为,测量LLC集成变压器的漏感的方法应该是短路所有副边绕组来测量。国内外很多文献当中也对这个问题的解释不是很清晰。我个人认为从LLC工作状态来分析,短路其中一副边测出来的值接近实际情况。 上传几张测试波形图,黄%色波形为桥臂中点电位,蓝色波形为谐振回路电流。三种图分别是工作在三个不同工作区的波形。 工作频率和输出电压的关系如下: |
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