IGBT的电路开启我们看这张图当集电极相对于发射极处于正电位的时候,N 沟道 IGBT 会导通,而栅极相对于发射极也处于足够的正电位 (>V GET )。这会导致在栅极的正下方形成了反型层,并且形成沟道,随后电流开始从集电极流向发射极。
IGBT 中的集电极电流 Ic 由两个分量 Ie和 Ih 组成。这里运用一道集电极的电流公式:Ic = Ie + IhIe 是由于注入的电子通过注入层、漂移层和最终形成的沟道从集电极流向发射极的电流。Ih 是通过 Q1 和体电阻 Rb从集电极流向发射极的空穴电流。详细情况可以看向这张图:
不过在这里的Ih几乎可以忽略不计因此 Ic ≈ Ie。IGBT的电路关闭当准备关断 IGBT时,我们会发现一种特殊情况,当IGBT的集电极电流超过某个阈值时,寄生晶闸管会被锁定,栅极端子失去了对集电极电流的控制,IGBT 无法关闭。这个时候我们就需要运用到典型的换流电路,让晶闸管强制换流。这个话题我们后面有机会再深入探讨。总而言之,如果不尽快关闭设备,就会有损坏设备的可能性。关于其工作原理这里额外说一个点:IGBT 只有在栅极端子上有电压供应时工作。一旦存在栅极电压 ( VG ) ,栅极电流 ( IG ) 就会增加,然后它会增加栅极-发射极电压 ( VGE )。因此,栅极-发射极电压增加了集电极电流 ( IC )。而集电极电流 ( IC ) 降低了集电极到发射极电压 ( VCE )。

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