1)有无内置高压MOSFET管,例如:CR6238T内置高压MOSFET管,而OB2520D则不内置MOSFET管;(2)控制方式是数字式还是模拟式,例如:IW3620属于数字控制式,ACT361属于模拟控制式;(3)工作在CCM还是在DCM模式,例如
NK406属于CCM模式,FSEZ1317属于DCM模式。
在CV模式下,大部分PSR芯片直接取样辅助线圈上电压,由于漏感的原因,在MOSFET管关断后,也就是次级二极管DR导通瞬间,会产生一个尖峰,影响电压采样,为了避个这个尖峰,大部分芯片采用延时采样方式,也就是在MOSFET管关
另外,吸收电路一般由一只恢复时间约为2us的二极管1N4007与一只阻值为100Ω的电阻串联组成,这样可以减小漏感产生的振铃,从而减小取样误差。还有些PSR芯片是在下取样电阻上并联一只小容量的电容来实现延时取样。
市面上很多IC固定Ipk的方式是限制MOSFET管取样电阻上的峰值电压。同时,为了避免寄生电容在导通时产生的电流尖峰,会加人一段消隐时间。Td/T值是由IC内部固定的,如OB系列IC的Td/T值是0.5。
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