抑制场效应管误导通的方法有哪几种？

电脑维修

以下是抑制场效应管误导通的主要方式:

一、尽可能降低栅极驱动回路阻抗：

在场效应管驱动电路中，常常看到串联有一个电阻。该电阻通常取值极小，目的是减小栅极驱动电路阻抗。

较小的阻抗能更快地泄放栅极电荷（特别是米勒电容Crss的电荷），缩短关断时间。

但阻抗过小又会增加开通速度、开关损耗和振铃风险，因此需要在开关速度、EMI和抗误导通之间权衡，通常取几十欧为宜。

如图示



在该电路图中，Q1为场效应开关管，Rg为栅极驱动电阻，它的阻值通常很小。

二、采用低阻抗驱动器： 确保栅极驱动IC或电路本身具有足够低的输出阻抗（强下拉能力），能快速拉低栅极电压。

如采用二极管、三极管等构成的驱动电路。

如图示



在该电路图中，Q1、Q2为场效应开关管，为了在开关管截止时加速导通，在栅极驱动电阻R5、R6上并联二极管D5、D6，目的是Q1、Q2截止时，快速泄放栅极电压，使Q1、Q2快速截止。

三、采用负压关断：

在关断期间，给栅极施加一个负电压（例如 -3V 到 -5V），而不是仅仅通过灌流电路拉到0V。

这样就显著增加了栅极电压需要被抬升才能达到开启阈值的“距离”，大大增强了防误导通的能力。这是高可靠性常用的防误导通的手段。

如图示



在该防误导通电路中，场效应管截止时，驱动芯片输出-Vgs电压，使场效应开关管迅速截止。

四、有源米勒钳位：

这是一种非常有效的专用技术。

驱动IC内部（或外部电路）在检测到栅极电压因米勒效应开始异常上升时，会迅速激活一个低阻抗下拉通路，通常是一个并联的MOSFET，将栅极电压强力钳位在低电平（通常是0V或负压），阻止其上升到其导通阈值。许多现代栅极驱动IC都集成了此功能。

如图示



在上图中，Q1为场效应开关管，Q2为米勒效应钳位场效应管，在开关管Q1截止时，驱动芯片同时输出高电平驱动信号，使Q2导通，将Q1栅极电压拉低并钳位在0v。有效地防止了开关管误导通。

五、增加栅极下拉电阻

在栅极和源极之间并联一个相对较大的电阻（例如10kΩ - 100KΩ)，有效地泄放场效应管关断时栅极集聚的电荷。

如图示

在该电路图中，Q1为场效应开关管，R11为场效应开关管栅极下拉电阻。
R11的作用就是在开关管截止时，迅速泄放栅极电荷，防止开关管Q1误导通。

每天分享电子知识，仅供参考，多谢支持！