单向可控硅充电保护电路工作原理

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单向可控硅充电保护电路工作原理示例先来了解单向可控硅的导通条件:
一般来说它有三个条件:
①门极有触发电压，且需达到最小触发电压值(或电流)
②阳极电压大于阴极电压
③阳极电流大于最小维持电流(1H)

①和②都好理解，而③点不好理解，对于不同型号的可控硅其导通最小阳极电流不同，一般在几十mA到几百mA之间。这也是在撤除门极触发电压后，可控硅在交流过零时截止的原由。

应用举例
如配图为一48V电池，利用单向可控硅进行的充电及保护电路

它具有防反接、电池断路、短路保护功能

工作原理
①充电时，充电电压+VCC
通过防反接二极管D1保护后，送到Q1发射极及电池正极。
此时Q1由于电池的接入开始导通。
②电容C1通过Q1、R3开始充电
③C1上电压逐渐上升，当A点电压上升到双向触发二极管D2导通阀值时，D2导通。
④D2导通，给单向可控硅Q2提供门极触发电压，Q2开始导通。


⑤Q2导通，电池开始充电。

⑥电池充电一段时间时，充电电流越来越小。

⑦当电池充满电，充电电流小于该可控硅导通阳极
最小电流(约40mA)时，可控硅自动截止，停止充电。

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