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群友的问题 | 光耦的控制电路输出不对

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发表于 2024-7-29 09:27:18 | 显示全部楼层 |阅读模式

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0abf2d3367f2c373dd654bcf27e57764.png 电路设计问题:Q10没有基极限流电阻,导致三极管Q9导通后,Q10的基极电流过大导致三极管Q10和三极管Q9烧毁,电流路径如下图:
c5de0b761030cf7e1678e3d810efa3fd.png 解决方案:1.不更改PCB,将PNP型三极管更换为PMOS,但是需要注意所选PMOS的Vgs绝对值需要满足>±12V,以防Vgs过压导致PMOS烧毁,例如更改为下图的AO3407(大概挑了一个,可以按照实际需求实际选取合适的PMOS):
836a2add4f12a098428e8fe086174f42.png 2.更改PCB,为三极管Q10增加基极限流电阻。电路更改例如下图:
2d2d9ea3529406788ce474fef53a2c8d.png 总结:建议更改PCB,增加基极限流电阻。这个电路中,就算是PMOS也建议增加合适的栅极电阻,以防Vgs过压损坏。
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发表于 2024-7-29 10:49:33 | 显示全部楼层
明显的部队,控制三极管Q9没有负载电阻,它一旦饱和导通,不但烧毁自己,还要殃及Q10be结。
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