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开关电源设计维修,RCD尖峰吸收电路原理分析?

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发表于 2024-6-2 08:24:17 | 显示全部楼层 |阅读模式

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说R4,D1,C6的作用及原理。带你分析开关电源每个元件的作用。R4电阻,D1二极管,C6电容是尖峰吸收电路,因为是电阻电容二极管组成的电路,简称RCD吸收回路。那么为什么要加尖峰吸收回路呢,是因为要保护MOS管过压击穿,把峰值电压限制在MOS管耐压之内。这样MOS管就可以安全地工作了,那么它是如何工作的呢。由于变压器制作会有一定的漏感,什么是漏感呢,是变压器的匝比和绕制线圈产生的,在变压器工作时初级能量不能完全转移到次级,那么由于电感断电会产生反电动势的原因,产生反向电压与电源电压的叠加产生电压尖峰,此电压就会超过MOS的耐压值,击穿MOS管。所以就需要加入尖峰吸收回路,在变压器初级线圈中,为了可以吸收线圈产生的反向电动势,加入了RCD吸收回路,RCD工作过程,当MOS管导通,电压流过变压器初级线圈,对线圈充电,当MOS管关闭后,电感产生反电动势,变压器次级通过二极管输出电压,由于初级线圈有漏感,不能全部转移到次级,多余的能量就会和电源电压叠加,产生尖峰电压,尖峰电压通过二极管D1对电容C6充电,在MOS再次导通时,电容C6上的电压通过电阻R4放电,把多余的能量通过电阻消耗掉,RCD的一个工作周期完成,继续循环下一个周期。此处二极管选择快恢复的二极管,电阻和电容根据电路调试后确定参数,电阻取值大小,吸收能量越大,会影响效率,它们的目的是消耗电路中产生多余的能量,不能消耗电路本身的能量,这样影响到初级的电动势,转移到次级的电动势就少了,减少了转换效率。电阻取值太大,在放电时,放电速度慢,尖峰电压会下降得慢,尖峰电压会超过MOS管的耐压,造成MOS管击穿。所以电阻的取值是在电路调试中选择的,调试时要用示波器看MOS管D极的波形,可以明显看到尖峰电压,改变电阻就可以改变尖峰电压了,电容也可以改变尖峰电压的大小,和电阻配合使用,最终目的是,吸收尖峰电压,多余的能量,不能消耗电路能量。吸收电路有三种,一种是RCD,一种是TVS瞬态抑制二极管加快恢复二极管组成,还有一种是稳压二极管和快恢复二极管,它们其中各有有优缺点,RCD电路用的比较多,后两种也经常见到。
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