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高电流变化环路(di/dt)和高电压变化环路(dv/dt)面积最小化,突变的电压&电流容易对外产生干扰辐射。输入电容尽量靠近芯片放置,输入电容属于高电流变化环路。且输入电容尽量不要放到背面,过孔会引入一些寄生参数,例如寄生电容和寄生电感。续流二极管(异步整流)或MOS管(同步整流)要靠近芯片放置,他们也属于高di/dt环路。可以理解没有电感的环路为高电流变化环路。
开关节点的铜皮在满足通流量的前提下,该节点铜皮尽量要小。开关节点波形为方波信号,含有较多的高次谐波,开关节点铜皮大的话易对外辐射干扰信号。
反馈电路连接需短而直接,反馈电阻和补偿元件尽可能靠近芯片。反馈路径尽量避开高电流和高电压变化环路(易受干扰),远离开关二极管或者电感等噪声源。
电感的焊盘不要多搞铜皮,易引入寄生电容。
输入电容和输出电容不易靠太近,输入端的噪声可能经由接地噪声传递到输出端。(书上说的,布局受限的话这样布局也没关系)
列举的可能不全,其余的可以去看一下手册,手册里一般会有较为详细的注意事项。
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