马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。
您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?请使用中文注册
×
1、输入参数:输入电压大小,交流还是直流,相数,频率等。
2、输出参数:输出功率,输出电压,输出电流,纹波,稳压(稳流)精度,调整率,动态特性(稳定时间:settling time)、电源的启动时间和保持时间。
3、效率:额定输入电压与额定输出电压、额定输出电流时输出功率与输入有功功率的比值。
4、电压调整率和负载调整率
5、动态特性:负载突变时输出电压的变化
6、电源启动时间(Set-Up Time)与保持时间(Hold-Up Time)
7、多路输出电源的交叉调整率: 什么是交叉调整率? 一路输出负载变化时,另一路输出电压的变化范围。 提高交叉调整率的常规办法:后级调整 如:小功率多路输出Flyback 输入电压范围..............90~264VAC, 120-370VDC
输入电流..................2.0A/115V 1.1A/230V,输入频率:47~63HZ
冲击电流..................冷启动电流20A/115V 40A/230V
漏电流....................< 2mA/240VAC
输出电压调节范围..........CH1 :-5~+10%
电压调整率................CH1:< 1% , CH2:< 1%
负载调整率................CH1:< 3% ,CH2/3:< 4-8%
过载保护..................105%~150% 保护类型:电流限制,自动恢复
过压保护..................115-135%CH1额定输出电压
温度系数..................±0.03%℃(0~50℃)
启动、上升、保持时间......800ms,60ms,20ms
抗震性....................10~500Hz,2G 三轴10min./1周期,每轴1小时
耐压性....................输入-输出:3KVAC,输入-外壳:1.5KVAC,
输出-外壳:0.5KVAC 1分钟
绝缘电阻...............输入-输出、输入-地、输出-地500VDC/100M Ohms
工作温度、湿度............-10℃~+60℃,20%~90%RH(0-45℃/100%,-10℃/80%,60℃/60% LOAD)
存储温度、湿度............-20℃~+85℃,10%~95RH
外形尺寸..................199*99*50mm CASE 916A
重量......................0.6kg;20pcs/13kg/1.17CUFT
安全标准..................满足UL1310,TUV EN60950要求
EMC/谐波标准............... 满足
EN55022 class B/A,EN61000-3-2,3
EN61000-4-2,3,4,5,6,8,11,ENV50204
二、选择合适主电路拓扑(AC-DC)
基本原则:功率等级,成本,效率,尺寸大小
三、元器件设计
例:Flyback主电路中哪些元器件需要我们设计? ① 计算电路工作参数。输入、输出电压 ② 运行参数。开关频率、最大占空比 ③ 变压器。 ④ 开关管-电压,电流 ⑤ 副边二极管-电压、电流 ⑥ 输出滤波电容 ⑦ 吸收电路
设计步骤
(一)、确定输入直流母线的电压变化范围: 1)随输入变化范围 2)每个工频周期内电压变化
(二)、设计开关频率fs,最大占空比Dmax=0.45 • 按照要求设定开关频率 • 根据输入功率,并假定最低电压最大占空比,刚好临界连续,然后确定电感峰值电流 Pinmax=Pomax/efficiency Iavgmax=Pinmax/VDCmin Ipeak=2*Iavgmax/D
(三)、设计反激变压器
– 根据最大峰值电流,确定原边电感量
Pinmax=0.5*Lm*Ipeak2*fs – 根据经验,选定磁芯尺寸,计算原边匝数。 Np=(Lm*Ipeak)/(Ae*Bmax) Ae是磁芯截面积;Bmax是设计的最大磁通密度。 – 根据电感量和匝数,设计气隙。 – 根据原边开关管的额定电压选择合适的匝比。为了获得较好的副边交叉调整率,有时候需要调整变压器原边的匝数。 例:副边Vo1:Vo2=5:3 初步计算得到:Ns1=3,Ns2=1.8;如果Ns2取2匝,则调整率可能比较差。于是,修改副边匝数,Ns1=5,Ns2=3。
(四)、开关管选择:功率MOSFET
(五)、副边二极管的选择: – 快恢复二极管 – 计算二极管的耐压 VD=(Vdcmax*Ns/Np+Vo)*1.3
(六)、输出滤波电容的选择: 根据电流/电压应力,纹波要求,选择电解电容。
(七)、RCD 吸收电路 1)吸收效果 2)损耗尽可能小 吸收效果与损耗之间折衷! 不仅对FLYback,所有存在R的吸收电路都同样的设计原则。 损耗估算方法: 1)Psnuber=Vc2/R
MOSFET关断时,当Vds超过RCD缓冲电路中的电容两端的电压VSN时,缓冲二极管导通.尖峰电流被RCD电路吸收,从而削减了尖峰电流. 缓冲电容一定要足够大,才能保证在一个开关周期内电容两端的电压没有显著变化.但是吸收电容太大,也会增加缓冲电路的损耗。必须折中。
四、其他模式flyback设计
CCM/DCM Flyback设计
输入时的导通损耗,使低压输入时进入CCM模式。高压输入时,DCM模式。 设计步骤与DCM模式相同,设计公式不同。 – 计算原边电感值公式不同 – 计算匝比公式不同 – 计算开关管电压、电流应力不同 – 计算二极管电压、电流应力不同 – 计算输出纹波不同 Boundary CM Flyback
BCM/DCM优点: 1)原边开关管的开通损耗小。 2)副边二极管的反向恢复电流小。 3)反向恢复引起的共模噪声小 4) 二极管的电压应力小,宜选用低压器件。
BCM模式的缺点: 1)原边开关管的导通损耗大。 2)频率变化,差模滤波器需要按照最低频率设计。共模滤波器要按照较高频率设计。 两个条件使上面的缺点不再重要: 1)MOSFET器件的改进,Rdson越来越小。使原边的导通损耗占的总损耗的比重减小。 2)BCM使副边的二极管的反向恢复引起的共模减小。
五、热设计
六、布线设计及EMI
|