| {本文由家电维修技术论坛小编收集整理资料}报道了基于分子束外延的短/中波双色碲镉汞材料及器件的最新研究进展。采用分子束外延方法制备出了高质量的短/中波双色碲镉汞材料，并通过提高材料质量将其表面缺陷密度控制在300 cm-2以内。在此基础上进一步优化了芯片制备工艺，尤其是在减小像元中心距方面作了优化。基于上述多项材料及器件工艺制备出了320 × 256短/中波双色碲镉汞红外探测器组件。结果表明，该组件的测试性能及成像效果良好。 摘要 报道了基于分子束外延的短/中波双色碲镉汞材料及器件的最新研究进展。采用分子束外延方法制备出了高质量的短/中波双色碲镉汞材料，并通过提高材料质量将其表面缺陷密度控制在300 cm-2以内。在此基础上进一步优化了芯片制备工艺，尤其是在减小像元中心距方面作了优化。基于上述多项材料及器件工艺制备出了320 × 256短/中波双色碲镉汞红外探测器组件。结果表明，该组件的测试性能及成像效果良好。 0 引言 随着红外探测器应用范围的不断扩展和红外隐身技术水平的日益提高，人们期望在更为复杂的背景及环境下实现高精度的高速红外探测，同时提高识别准确率。双／多色红外焦平面探测器组件可通过多波段对比去除干扰信号，从而更为有效地提取目标信息，因此具有迫切、广泛的应用需求。其中，短/中波双色红外焦平面探测器组件不仅在导弹预警、气象探测、资源遥感等方面有着明确需求，而且还在机载侦察系统、低空地空导弹光电火控系统、精确制导武器等方面具有广阔的应用前景。 本文报道了中国电子科技集团公司第十一研究所（以下简称 |
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