| {本文由家电维修技术论坛小编收集整理资料}今天，大多数电源路线图都将GaN晶体管作为一个关键平台集成到其中。与Si-mosfet、igbt和SiC-mosfet相比，GaN晶体管的优点意味着工程师们正在将它们广泛地设计到他们的系统中。然而，GaN晶体管在开关电源中的这些进步也使得表征这些电源的性能变得越来越具有挑战性。在半桥上测量高边VGS是诊断晶体管交叉导通的一种传统方法，对于基于GaN的设计来说是一项艰巨的任务。典型的解决方案是使用高成本的测量设备，这并不总是产生有用的结果。本文介绍了一种利用GaN晶体管的独特特性测量交叉导通的简单而经济的方法。 在升压或降压变换器和双向变换器中用于同步整流的半桥和全桥配置为高、低压侧晶体管使用互补驱动信号。驱动信号必须在半桥中的一个晶体管关闭和另一个晶体管打开之间包含少量的 |
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