将MOS晶体管连接为二极管

2023-5-21 19:04| 发布者: 开心| 查看: 88| 评论: 0

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摘要: {本文由家电维修技术论坛小编收集整理资料}本次实验的目的是研究将MOS场效应晶体管（NMOS和PMOS）连接为二极管时的正向/反向电流与电压特性。材料: ● ADALM2000主动学习模块● 无焊面包板● 一个100 Ω电阻● 一个ZVN2110A NMOS晶体管 ...

{本文由家电维修技术论坛小编收集整理资料}本次实验的目的是研究将MOS场效应晶体管（NMOS和PMOS）连接为二极管时的正向/反向电流与电压特性。材料: ● ADALM2000主动学习模块● 无焊面包板● 一个100 Ω电阻● 一个ZVN2110A NMOS晶体管● 一个ZVP2110A PMOS晶体管 NMOS说明增强型NMOS晶体管栅源的电流与电压特性可以使用ADALM2000实验室硬件和以下连接来测量。使用面包板，将波形发生器W1连接到电阻R1的一端。将示波器输入2+也连接到这里。将M1的栅极和漏极连接到R1的另一端，如图所示。M1的源极连接至负电源Vn(–5 V)。将示波器输入2-和示波器输入1+连接到M1的栅极-漏极节点。示波器输入1–最好接地，以降低噪声影响。构建电路时，确保关闭电源Vn。确保所有连接都正确之后，接通电源。

图1.NMOS二极管连接图。硬件设置波形发生器配置为100 Hz三角波，峰峰值幅度为10 V，偏移为0 V。示波器的差分通道2（2+、2-）用于测量电阻（和晶体管）中的电流。连接示波器通道1 (1+)的单端输入，以测量晶体管两端的电压。流过晶体管的电流是2+和2-之间的电压差除以电阻值(100 Ω)的结果。

图2.NMOS二极管面包板电路。程序步骤将捕获的数据加载到Excel表格中，计算电流。计算并绘制电流与晶体管两端电压(VGS)的曲线。应没有反向流动电流。在正向导通区域，电压-电流应呈二次函数关系。计算并绘制电流与VGS的平方根曲线。比较两条曲线的形状并评论。VGS的平方根曲线。比较两条曲线的形状并评论。

图3.NMOS二极管XY曲线。 PMOS说明使用PMOS器件，重复实验。连接方法类似，如图4所示。您可能注意到，在本示例中，示波器输入的极性发生反向。所以，示波器屏幕的电压和电流方向与NMOS示例中类似。M1的源极连接至正电源Vp (+5 V)。将示波器输入2+和示波器输入1–连接到M1的栅极-漏极节点。构建电路时，确保关闭电源(Vp)。确保所有连接都正确之后，接通电源。

图4.PMOS二极管连接图。硬件设置波形发生器配置为100 Hz三角波，峰峰值幅度为10 V，偏移为0 V。示波器的差分通道2（2+、2-）用于测量电阻（和晶体管）中的电流。连接示波器通道1 (1–)的单端输入以测量晶体管两端的电压。流过晶体管的电流是2+和2-之间的电压差除以电阻值(100 Ω)的结果。

图5.PMOS二极管面包板电路。程序步骤将捕获的数据加载到Excel表格中，计算电流。计算并绘制电流与VGS的曲线。应没有反向流动电流。在正向导通区域，电压和电流应呈二次函数关系。计算并绘制电流(ID)与VGS的平方根曲线。比较两条曲线的形状并评论。

图6.PMOS二极管XY曲线。问题 ●   通过绘制ID和VGS的测量数据曲线，找到并报告VTH和K (W/L)的值。比较NMOS和PMOS的VTH和K (W/L)值，有什么区别？  推荐阅读： MOS晶体管共源极放大器多轴机器人和机床应用中的时序挑战为单极负电源增加高效的正供电轨性能更佳的测量系统如何在嘈杂的环境中改善EV/HEV电池的健康状况贸泽联手ADI推出全新电子书探索储能解决方案日益增强的重要性要采购晶体么，点这里了解一下价格!
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