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UFS 3.0标准正式发布,比UFS 2.1性能翻番!

2023-5-13 21:33| 发布者: 开心| 查看: 14| 评论: 0

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摘要:   1月31日上午消息,固态技术协会(JEDEC)发布了Universal Flash Storage (UFS&UFSHCI,通用闪存储存) v3.0标准(JESD220D、JESD223D),和UFS储存卡v1.1标准(JESD22 ...
      1月31日上午消息,固态技术协会(JEDEC)发布了Universal Flash Storage (UFS&UFSHCI,通用闪存储存) v3.0标准(JESD220D、JESD223D),和UFS储存卡v1.1标准(JESD220-2A)。UFS也就是我们通常所说的通用闪存存储,UFS 3.0标准正式发布,比UFS 2.1性能翻番,最高速度可达2.9GB/s!UFS 3.0是针对需要高性能、低功耗的移动应用和计算系统而开发的。

  简单来说,UFS 3.0引入了HS-G4规范,单通道带宽提升到11.6Gbps,是HS-G3(UFS 2.1)性能的2倍。

   由于UFS的最大优势就是双通道双向读写,所以接口带宽最高23.2Gbps,也就是2.9GB/s。

  互联层规划方面,严格遵守MIPI(移动产业处理器接口)的规范协议,其中物理层依据MIPI M-PHY v4.1,传输层依据MIPI UniProSM v1.8。



UFS 3.0标准正式发布,比UFS 2.1性能翻番 图1  其它方面,UFS 3.0支持的分区增多(UFS 2.1是8个),纠错性能提升,电压2.5V,支持最新的NAND Flash闪存介质。面向工业领域如汽车自动驾驶,工作温度零下40摄氏度到高温105摄氏度。

  至于UFSHCI v3.0规范则面向主控厂商参考,用于简化通行规划。

  至于UFS储存卡v1.1,则实现了对HS-Gear1/2/3的所有兼容,这样储存速度就达到最高1.5GB/s。

  另外,三星已经宣告,将在2018年第一季首发推出UFS 3.0接口的产品。由于骁龙845、Exynos 9810等尚无证据支持UFS 3.0接口,所以是否对应Galaxy S9终端或者仅仅是主控、闪存这类零部件,暂不得而知。我们只有拭目以待了。

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