Intel 10nm工艺揭秘：2.7倍晶体管密度，首次运用贵金属钌

2023-5-6 09:56| 发布者: 开心| 查看: 15| 评论: 0

阅读字号:

摘要: 　　英特尔已经发展了三代14nm工艺，还得再用一次，10nm则因为良品率始终无法达到满意程度而一再推迟，到2019年底之后才会升级Intel 10nm工艺。不过10nm处理器最近已经上 ...

　　英特尔已经发展了三代14nm工艺，还得再用一次，10nm则因为良品率始终无法达到满意程度而一再推迟，到2019年底之后才会升级Intel 10nm工艺。不过10nm处理器最近已经上市了，联想Ideapad 330就运用了10nm Cannonlake架构的Core i3-8121处理器，通过分析英特尔的10nm工艺晶体管密度达到了100MTr/mm2，是14nm节点的2.7倍，而且英特尔首次运用了贵金属钌。

　　日前，以联想Ideapad 330中的Core i3-8121处理器为例分析了Intel 10nm工艺，详细报告还没有发布，他们只公布了部分数据，Intel 10nm工艺主要创新如下：

　　·逻辑晶体管密度达到了100.8MTr/mm2，也就是每平方毫米1亿个晶体管，晶体管密度是14nm工艺的2.7倍多。

　　英特尔之前公布的自家14nm工艺特点

·10nm FinFET运用的是第三代FinFET晶体管工艺技术

·10nm工艺的最小栅极距（gate pitch）从之前的70nm缩小到了54nm。

·10nm工艺的最小金属间距（metal pitch）从之前的52nm缩小到了36nm。

Intel 10nm工艺亮点：

·与现有10nm及即将问世的7nm工艺相比，英特尔10nm工艺具有最好的间距缩小指标

·在后端制程BEOL中首次联合运用金属铜及钌，后者是一种贵金属

·在contact及BEOL端运用了自对齐曝光方案（self-aligned patterning scheme）

规划亮点：

·通过6.2-Track高密度库实现了超级缩放（Hyperscaling ）

·Cell级别的COAG（Contact on active gate）技术

　　关于Intel 10nm工艺的优势，之前我们也介绍过，而且英特尔CEO科赞奇也解释过他们的10nm工艺为什么难产的问题，一大原因就是他们的10nm工艺指标定的太高了，10nm工艺100MTr/mm2的晶体管密度实际上跟台积电、三星的7nm工艺差不多，性能指标再先进，最终也要转换成有竞争力的产品，才算数。

路过

雷人

握手

鲜花

鸡蛋

收藏分享邀请

		自动登录	找回密码
密码			请使用中文注册

Intel 10nm工艺揭秘：2.7倍晶体管密度，首次运用贵金属钌

最新评论

相关分类