 最新消息：三星扩产DRAM 图1 三星电子准备按下毁灭开关，储存器的超级周期将画上句点？据传三星扩产DRAM是为了防止中国厂染指DRAM，打算大举扩产DRAM，未来全球DRAM产出可能一举暴增 20%。 韩媒 etnews 31 日报导，据了解，为了三星扩产DRAM，正在改装韩国华城（Hwasung）厂 16 号线，此一产线原本生产2D NAND，明年第一季起将量产DRAM。另外，三星的韩国平泽厂也在打造新DRAM产线，第一阶段产能估计明年第三季开出。  最新消息：三星扩产DRAM 图2 估计 2018 年三星在华城厂和平泽厂的 DRAM 产出将增加 6 万组，规模不算太大。问题在 2018 年下半之后，三星计划把华城 16 号线全数用于生产 DRAM，若闲置空间全数运用，DRAM 产能将增加 13.5 万组。不只如此，届时平泽厂 DRAM 投资也进入第二阶段，DRAM 产能将增 10 万组。两厂相加，等于开出 23.5 万组的新产能。 做为对照，今年第三季全球DRAM产能为每月 110 万组，要是三星真的增产23.5万组，全球DRAM供给将飙升 20%。内情人士透露，部分三星高层认为，要在中国跨入DRAM市场之前，先结束DRAM热潮。三星电子实质掌门权五铉明年初下台，掌管三星半导体业务的金奇南（Kim Ki-nam），是呼声极高的接班人，据悉金奇南支持大幅增产。  最新消息：三星扩产DRAM 图3 不只如此，SK 海力士也在无锡兴建新厂，估计 2018 年底完工，2019 年安装设备，产能为每月 12 万组。 |
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