在某贴吧看到一张属于掉速门型号的TLC固态硬盘用户发帖，他试图用两张跑分来证明自己的固态硬盘从不掉速。小编认为有必要对TLC掉速问题做一个深入全面的解析了。 TLC固态硬盘的掉速实际上包括了两种情况：写入速度掉和读取速度掉，这两个情况并非同一件事。写入掉速是TLC固态硬盘固有的共性问题，既然运用了SLC缓存来加速写入偏慢的TLC闪存，那么当缓存用尽后写入速度自然会跌落到标称值以下：  写入掉速对于固态硬盘本身来说其实并不会产生太大负面影响。SLC缓存本身是为了满足突发的大量写入，由缓存先承接下来然后慢慢让TLC闪存消化。对于容量大的TLC固态硬盘来说，这一方面的影响会更小，因为大容量型号可以提供相对更大的SLC缓存，一方面没那么容易用光缓存，另一方面即便缓存用尽速度也比较有保障。下图是ToshibaQ300 480G固态硬盘的10GB区块AS SSD Benchmark测验，连续写入速度330.17MB/s，已不算低。  而另一种很多人不了解的TLC固态硬盘掉速指的是数据长期储存后读取速度有可能发生严重衰减，这是由TLC闪存的性质决定的，虽然增强的纠错算法能够保证数据不出错，但反复的重试纠错严重到一定程度后会影响数据从固态硬盘上读出的速度。百度搜索“840 掉速”会有很多关于这方面的信息，不幸的是很多人选择性忽视了，认为这不可能发生在自己身上，除非手动复制读取这些文件，通过跑分是无法察觉旧文件读取掉速的：跑分测验的都是新近写入的数据。  三星在很早前就宣告给840Evo提供了旧数据读取掉速的修补固件，宣称搞定了掉速问题。实际情况是这样吗？储存极客近日取出已经封存一年的一块840Evo 120G固态硬盘进行验证。这块840Evo之前已经刷入了三星最新的“防掉速”EXT0DB6Q版本固件：  在封存之前储存极客向这块拥有最新固件的三星固态硬盘内预存入10个2GB大小的文件，一共20GB数据。经过近一年时间的断电保存，原本读取速度能达到540MB/s以上的文件，当前读取速度只有420MB/s左右，掉速近3成：  等待半小时以上重新测验，速度基本没有很大变化，即便是最新的修补固件，也并没有彻底搞定读取掉速问题，只不过相对延缓了掉速的进程罢了，这样的话电脑越用越慢是肯定的，只不过速度的衰减发生在无形之中，较难第一时间发现这是固态硬盘的问题。  那是不是所有TLC固态硬盘都不可避免的存在读取掉速、越用越慢的顽疾呢？在三星840Evo之外，储存极客还在同一时期用ToshibaQ300固态硬盘做了参照测验，同样预先写入20GB数据、经过一年时间断电保存，Q300是否也会发生读取掉速呢？  Q300在断电一年后连续读取速度依然接近500MB/s，而在第一次测验过后休息半小时，再度测速时我发现Q300的连续读取速度进一步提升到了550MB/s的极速状态：  以上的测验可以说明，不一样品牌的TLC固态硬盘在写入数据并经历长期断电保存之后，读取速度会有不一样程度的下跌。有朋友会问，我的固态硬盘是作为系统盘运用的，经常开机通电，不会出现断电一年的情况，是不是就不会发生掉速了呢？  真相是固态硬盘通电并不代表闪存内数据就会自动得到刷新，闪存不能覆盖写入，唯有先擦除然后才能重新编程（写入）。不一样品牌不一样型号的固态硬盘在数据定期自动刷新以保持读取性能这件事上有不一样的策略。三星的策略倾向于尽可能不刷新数据，即便这样做会付出实用性能衰减的代价，但至少用户跑分得到了保障，普通用户不会发现掉速就行了。 而作为对比的ToshibaQ300显然拥有更积极的数据刷新手机制，在断电保存一年后，第一次和第二次读取之间性能就发生了显著的恢复，说明固态硬盘主动刷新了闪存内储存的数据，保持了读取性能，在正常运用就不会有越用越慢的情况发生。 |
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