据快科技报道三星电子今天宣告了新的11nm FinFET制造工艺“11LPP”(Low Power Plus)，并确认未来7nm工艺将上EUV极紫外光刻。 三星公布EUV技术7、11纳米LPP工艺，明年开始投产 三星新加入了11nm LPP工艺，其实就是改良后的14nm LPP马甲，不过性能提升了15%，单位面积的功耗降低了10%。除了在旗舰手机芯片上运用10nm FinFET工艺外，三星还打算将11nm工艺处理器运用在中高端手机，11nm工艺计划在2018年上半年投产。三星还证实采用EUV光刻技术的7nm LPP工艺芯片正在开发当中，目标是在2018年下半年投产。 三星表示，10nm用于旗舰手机，11nm用于中高端，形成不一样化，估计2018年上半年在市场投放。 业界普遍认为7nm工艺是一个重要节点，是半导体制造工艺引入EUV技术的关键转折，这是摩尔定律可以延续到5nm以下的关键；引入EUV工艺可以大幅提升性能，缩减曝光步骤、光罩数量等制造过程，节省时间和成本。 在7nm工艺上的竞争，可能会引发全球两大芯片企业高通和苹果订单的变动，业界传出消息指高通很可能将其明年的高端芯片骁龙845交给台积电，而三星则可能夺得苹果A12处理器的订单。 11LPP工艺将填补三星14nm、10nm之间的空白，号称可在同等晶体管数量和功耗下比14LPP工艺提升15％的性能，或者降低10％的功耗，另外晶体管密度也有所提升。 另有报道称，在那之前的明年上半年，三星会首先在8LPP工艺的特定层上运用EUV。 |
|Archiver|手机版|家电维修论坛
( 蜀ICP备19011473号-4 川公网安备51102502000164号 )
GMT+8, 2025-8-29 05:30 , Processed in 0.117877 second(s), 17 queries .
Powered by Discuz! X3.5
© 2001-2025 Discuz! Team.
