DDR扫盲——DDR3基础知识

2023-5-6 09:08| 发布者: 开心| 查看: 9| 评论: 0

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摘要: 　　Burst Length为固定的BC4和BL8，它们在“on the fly”能够和读命令或者写命令通过A12/BC引脚进行选择。　　RL为总的读取潜伏期，其被定义为Additive Latency(AL)+CAS ...

　　Burst Length为固定的BC4和BL8，它们在“on the fly”能够和读命令或者写命令通过A12/BC引脚进行选择。

　　RL为总的读取潜伏期，其被定义为Additive Latency(AL)+CAS Latency(CL)；

　　CAS Latency为读取潜伏，为内部读命令和第一个bit有效数据输出之间的时钟周期；

　　Additive Latency为附加潜伏期，它的作用为使命令和数据总线更有效，即允许读或者写命令紧跟有效命令；

　　CAS Write Latency（CWL）列写潜伏期，被定义为内部写命令和第一个bit有效数据输入之间的时钟周期延时；DDR3 SDRAM 不支持半周期潜伏，总的写潜伏为Write Latency(WL)=Additive Latency(AL)+CAS

　　tDQSCK是差分时钟的交叉点到数据选通脉冲的交叉点的时间；
　　tQSH是DQS的差分输出高电平时间；
　　tQSL是DQS的差分输出低电平时间；
　　tDQSQ是最近数据选通脉冲到数据有效的时间；
　　tQH是数据选通脉冲到最早的无效数据无法正确判断数据是否为1的时间；

　　读时序

　　ODT（On-Termination）提供打开和关闭终结电阻的功能，该功能只为DQ、DQS、/DQS和DM管脚开放；

　　地址/命令建立时间、保持时间和降额
　　tis(total setup time)=tis(base)+ tis
　　tih(total setup time)=tih(base)+ tih

　　数据建立时间、保持时间和降额
　　tDS(total setup time)=tDS(base)+ tDS
　　tDH(total hold time)=tDH(base)+ tDH

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