| RAS： Row Address Strobe，行地址选通脉冲； CAS： Column Address Strobe，列地址选通脉冲； tRCD： RAS to CAS Delay，RAS至CAS延迟； CL： CAS Latency，CAS潜伏期（又称读取潜伏期），从CAS与读取命令发出到第一笔数据输出的时间段； RL： Read Latency,读取潜伏期； tAC： Access Time from CLK,时钟触发后的访问时间，从数据I/O总线上有数据输出之前的一个时钟上升沿开始到数据传到I/O总线上止的这段时间；  tWR： Write Recovery Time,写回，保证数据的可靠写入而留出足够的写入/校正时间，被用来表明对同一个bank的最后有效操作到预充电命令之间的时间量； BL： Burst Lengths,突发长度，突发是指在同一行中相邻的储存单元连续进行数据传输的方式，连续传输所涉及到储存单元（列）的数量就是突发长度(SDRAM)，在DDR SDRAM中指连续传输的周期数； Precharge：L-Bank关闭现有工作行，准备打开新行的操作； tRP： Precharge command period，预充电有效周期，在发出预充电命令之后，要经过一段时间才能允许发送RAS行有效命令打开新的工作行；  AL： Additive Latency，附加潜伏期（DDR2）； WL： Write Latency，写入命令发出到第一笔数据输入的潜伏期； tRAS: Active to Precharge Command，行有效至预充电命令间隔周期； tDQSS： WRITE Command to the first corresponding rising edge of DQS，DQS相对于写入命令的延迟时间；  SDRAM的内部是一个储存阵列，要想准确地找到所需的储存单元就先指定一个（row）,再指定一个列（Column）,这就是内存芯片寻址的基本原理。  SDRAM内存芯片一次传输率的数据量就是芯片位宽，那么这个储存单元的容量就是芯片的位宽（也是L-Bank的位宽）； 储存单元数量=行数*列数（得到一个L-Bank的储存单元数量）*L-Bank的数量也可用M*W的方式表示芯片的容量，M是该芯片中储存单元的总数，单位是兆（英文简写M，精确值是1048576），W代表每个储存单元的容量，也就是SDRAM芯片的位宽，单位是bit； DDR SDRAM内部储存单元容量是芯片位宽（芯片I/O口位宽）的一倍； DDR2 SDRAM内部储存单元容量是芯片位宽的四倍； DDR3 SDRAM内部储存单元容量是芯片位宽的八倍； DDR4 SDRAM内部储存单元容量是芯片位宽的八倍。 |
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