| 三星电子今天宣告,已经开始批量生产业内首款512GB嵌入式通用闪存(eUFS),用于下一代移动设备。据悉,三星512GB eUFS采用了三个三星最新的64层512千兆(Gb)V-NAND芯片和一个控制器芯片。 512GB eUFS闪存首发量产!三星又放大招(图1) 为了最大限度发挥512GB eUFS的性能和能源效率,三星还推出了一套新的独家技术。三星512GB eUFS控制器采用64层512Gb V-NAND先进的电路规划和新的电源管理技术,将能源消耗降到最低。另外,512GB eUFS控制器芯片加速了将逻辑块地址转换为物理块地址的映射过程。 三星512GB eUFS读写性能也非常强大。512GB嵌入式储存器的顺序读写速度分别达到860MB/s和255MB/s,能够在6秒内将5GB的全高清视频片段传输到SSD,相比于普通的micro SD卡速度提升了8倍。 512GB eUFS闪存首发量产!三星又放大招(图2) 对于随机操作,三星512GB eUFS可以读取42,000 IOPS并写入40,000 IOPS。基于eUFS的快速随机写入,比传统micro SD卡的100 IOPS速度快大约400倍,移动用户可以享受无缝的多媒体体验,如高辨别率连拍,以及双重文件搜索和视频下载使用程序查看模式。 另外,三星还计划稳步增加其64层512Gb V-NAND芯片的产量,并扩大256Gb V-NAND芯片的产量,以满足高级嵌入式移动储存以及高密度、高性能的高级固态硬盘和可移动储存卡的需要。 512GB eUFS闪存首发量产!三星又放大招(图3) |
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