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新型助听、催眠、记忆增强型多功能电路图

2023-5-1 21:50| 发布者: 开心| 查看: 21| 评论: 0

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摘要:   本电路由一个CMOS六反相器组成。A—D组成奇数级负反馈放大器。R1为反馈电阻,调节R2和R1的比值可调节电压增益,其典型增益可达100倍。F3和F4并联是为了增强放大器的负载能力。E和F构成 ...
    

  本电路由一个CMOS六反相器组成。A—D组成奇数级负反馈放大器。R1为反馈电阻,调节R2和R1的比值可调节电压增益,其典型增益可达100倍。F3和F4并联是为了增强放大器的负载能力。E和F构成一个低频信号发生器,它是一个最简单的CMOS多谐振荡器。它的振荡频率约为0.7Hz。改变C2或R3,可改变其振荡频率。R4和MIC构成拾音电路。
  在作助听和记忆增强应用时,开关S置于1的位置,MIC将外界声音转换为电信号进入放大器进行放大,再由耳机输出。作记忆增强时,用双耳机听可减少外界干扰。
  在作催眠器时,开关S置于2的位置,0.7Hz的低频信号经变压器放大,在耳机中可以听到“嗒嗒”的拍点声,类似下雨时的声音,让人放松,从而起到催眠的作用。

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