防反接保护电路,经典电源保护电子电路设计精华盘点

MOS管型防反接保护电路

　　图3利用了MOS管的开关特性，控制电路的导通和断开来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，现在 MOSFET Rds（on）已经能够做到毫欧级，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连 接。保护用场效应管为PMOS场效应管或NMOS场效应管。若为PMOS，其栅极和源极分别连接被保护电路的接地端和电源端，其漏极连接被保护电路中 PMOS元件的衬底。若是NMOS，其栅极和源极分别连接被保护电路的电源端和接地端，其漏极连接被保护电路中NMOS元件的衬底。一旦被保护电路的电源 极性反接，保护用场效应管会形成断路，防止【【电流】】烧毁电路中的场效应管元件，保护整体电路。具体N沟道MOS管防反接保护电路电路如图3示。

　　图3. NMOS管型防反接保护电路

　　N沟道MOS管通过S管脚和D管脚串接于电源和负载之间，电阻R1为MOS管提供【【电压】】偏置，利用MOS管的开关特性控制电路的导通和断开，从而防止电源 反接给负载带来损坏。正接时候，R1提供VGS【【电压】】，MOS饱和导通。反接的时候MOS无法导通，所以起到防反接作用。功率MOS管的 Rds（on）只有20mΩ实际损耗很小，2A的【【电流】】，功耗为（2×2）×0.02=0.08W根本不用外加散热片。解决了现有采用二极管电源防反接方案 存在的压降和功耗过大的问题。

　　点评：上图中VZ1为稳压管防止栅源【【电压】】过高击穿mos管，NMOS管的导通电阻比PMOS的小，NMOS管接在电源的负极，栅极高电平导 通，PMOS管接在电源的正极，栅极低电平导通。本文着重介绍了电源中保护电路设计过程，利用场效应管的导通电阻作为检查电阻，监视它的【【电压】】降，当【【电压】】降 超过设定值时就停止放电。在一般的情况下，电路中一般还加有延时电路，以区分浪涌【【电流】】和短路【【电流】】，总得来