 IGBT的伏安特性如图1-33a所示。与GTR的伏安特性基本相似，不同的是，控制参数是栅源电压Uos而不是基极电流。 图1-33b表示出IGBT的转移特性，它与VMOS管的转移特性相同。在大部分漏极电流范围内，I与U呈线性关系。只要当栅源电压接近阀值电压U时才呈非线性关系，此时漏极电流相当小，当栅源电压小于U时，IGBT处于截止状态。 IGBT的静态开关特性，如图1-33c所示，当栅源电压大于阀值电压时，IGBT即导通。 与VMOS器件相比，IGBT的导通压降要小得多，这是因为IGBT众多N-漂移存在电导调制效应 由于IGBT是一种兼有GTR和VMOS特点的复合器件，所以它的许多参数的定义与上述两种关注基本相同。 : |
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