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30MJFET源极跟随器电路的应用

2023-5-1 08:03| 发布者: 开心| 查看: 33| 评论: 0

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摘要:   JEFT是一种单极的三层晶体管,它是一种控制极是由pn组成的场效应晶体管,工作依赖于惟一种载流子 - 电子或空穴的运动。对于一个"正常接通"器件,每当N沟道JFET的漏极电压相对于源极为正 ...
      JEFT是一种单极的三层晶体管,它是一种控制极是由pn组成的场效应晶体管,工作依赖于惟一种载流子 - 电子或空穴的运动。对于一个"正常接通"器件,每当N沟道JFET的漏极电压相对于源极为正时,或是当P沟道JFET的漏极电压相对于源极为负时,都有电流在沟道中流过。在JFET沟道中的电流受栅极电压的控制,为了"夹断"电流的流动,在N沟道JFET中栅极相对源极的电压必须是负的;或者在P沟道JFET中栅极相对源极的电压必须是正的。栅极电压被加在横跨PN结的沟道上,与此相反,在MOSFET中则是加在绝缘体上。
 



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