 工作在二次击穿状态的硅平面晶体管，可用来产生大电流的短脉冲。这种方法比用可控硅整流器和雪崩晶体管的装置简单、经济。 二次击穿，在晶体管中通常是有害的，因为发射极电流集中在局部过热点上，一旦持续时间过长就会使硅熔化。但是，经过精心设计之后，利用这种状态可做脉冲发生器。这是因为脉冲周期在过热之前就已熔化。 对于图中所示的原件值，本电路产生的脉冲宽度为40毫微秒，电流为30A。这种电路可在130千赫兹的重复频率上连续工作，而性能无明显的变化。 : |
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