二极管特性

2023-4-29 12:49| 发布者: 开心| 查看: 15| 评论: 0

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摘要: 二极管伏安特性曲线当外加正向偏置电压0＜U＜Vth时，正向电流为零；当U＞Vth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。硅二极管的死区电压Vth＝0.5V左右；锗二极管的死区电压Vth＝0.2 V左右。导通后的二极管 ...

    二极管伏安特性曲线
  当外加正向偏置电压0＜U＜Vth时，正向电流为零；当U＞Vth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。硅二极管的死区电压Vth＝0.5V左右；锗二极管的死区电压Vth＝0.2 V左右。导通后的二极管有一个最大可连续工作电流上限IF，正常工作二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。
  当外加反向偏置电压时VBR＜U＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向漏电流IS。反向电流与温度有着密切的关系，硅二极管比锗二极管在高温下具有更好的稳定性。当U≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压。