数字电路基础第九课：效场应管

2023-4-29 12:40| 发布者: 开心| 查看: 16| 评论: 0

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摘要: §7.1 概述场效应管 (Field Effect Trasistor，FET)与双极型晶体管 (Bipolar Junction Transistor,BJT ) 不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。场效应管根据其结构不同分为两种:1、结型场效应管 JFE ...

§7.1 概述
场效应管 (Field Effect Trasistor，FET)与双极型晶体管 (Bipolar Junction Transistor,BJT ) 不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。

场效应管根据其结构不同分为两种:
1、结型场效应管 JFET    junction type
2、绝缘栅型场效应管   MOSFET
      metal oxide semiconductor type FET

7. 2 结型场效应管 (JFET):
一、结构

二、工作原理（以N沟道为例）

N沟道结型场效应管的特性曲线
转移特性曲线

N沟道结型场效应管的输出特性曲线

7.2.2 P沟道结型场效应管

特性曲线

输出特性曲线

结型场效应管的缺点：
1. 栅源极间的电阻虽然可达107以上，但在某些场合仍嫌不够高。
2. 在高温下，PN结的反向电流增大，栅源极间的电阻会显著下降。
3. 栅源极间的PN结加正向电压时，将出现较大的栅极电流。
绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。
7. 3 绝缘栅场效应管(MOS):
7.3.1、 N沟道增强型FET的结构和电路符号