| 测NPN型硅管，由于在R×100Ω或R×1k挡时的c、e脚间正反向电阻差异不大，判别有一定困难。现介绍一种容易区分的方法：用万用表R×10kΩ挡时，NPN硅管的b-①和b-②作反测，即红表笔接b极。黑表笔分别接①和②。两次反测的电阻会有明显差异。设对b-①作反测读得的电阻大于对b-②作反测的电阻，则①脚是集电极，②脚是发射极。理由是多数万用表R×10k挡的电池为9V，而NPN型高频管或开关管的BVebo约在1-5V之间，BVcbo>10V。用Rx10k挡对b—e结作反测，因BVebo较小，故e—b结处于击穿状态(万用表内阻有限流作用，不会损坏晶体管)，呈现的电阻较小。对b—c结作反测，因BVcbo较大，b—c结未击穿，故呈现的电阻很大。 另外，还可用如下方法判别：万用表置R×1k挡，红、黑表笔接NPN管待判别的两个极，再在黑表笔与基极间接一只几十千欧的电阻，读出电阻值，然后将两管脚对调，用同样的方法再测一次并读出电阻值。两次测量读得的电阻较小的一次中，黑表笔接的是集电极，红表笔接的是发射极。 |
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