| 概述：本文介绍的测试方法可直接测试光电耦合器的重要参数——电流传输比CRT。 测试电路见图。  万用表(以DT830为例)拨至测NPN管挡，在hFE插口的e孔上有2．8V的电压，e孔在表内接200mV测试挡的输入端，e孔与地COM之间接有一个10Ω的电阻。如图接好所测光电耦合器(以P621为例)后，光耦的①、②脚间电压约为1V，流过发光二极管的电流i，约1mA。流过光敏管的电流i2在10Ω电阻上产生压降，量程为200mV的电压表所测的电压就是10Ω电阻上的电压，10Ω电阻起I-V转换的作用。 万用表在测hFE时，等效量程为200mV但无小数点的电压表，这时显示值的1个单位代表0．1mV。如在LCD上的读数是1000，则表示10Ω电阻上的电压是1000×0．1=100mV，同时可推知i2=100／10=10mA。 光电耦合器的电流传输比CRT的定义是CRT=i2／i1×100％，将i1、i2的数据代入，得CRT=10／1×100％，=1000％，数值上与LCD的读数相同，说明此法可直接测得光耦的CRT。 |
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