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关键参数 额定正向工作电流二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。因为电流通过管子时会使管芯发热,温度上升,温度超过容许限度(硅管为140左右,锗管为90左右)时,就会使管芯过热而损坏。所以,二极管使用中不要超过二极管额定正向工作电流值。例如,常用的IN4001-4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。 例如在反激电源中,输出一般电压比输入低,由于能量守恒,输出电流就更高,所以变压器副边线径一般更粗,且副边整流二极管的额定电流要达到输出电流的要求; 最高反向工作电压也即反向耐压。加在二极管两端的反向电压高到一定值时,会将管子击穿,失去单向导电能力。为了保证使用安全,规定了最高反向工作电压值。例如,IN4001二极管反向耐压为50V,IN4007反向耐压为1000V。 在反激电源中,副边整流二极管在原边MOS管导通的时候,承受着输出电压加上原边电压反射电压大小的反向耐压:Vout+Vinmax/n,n为匝数比; 在实际电路中,二极管承受的电压远高于上述理论值。这是因为在二极管关断瞬间(原边开关管开通瞬间)会产生高频振荡尖峰。
反向电流(反向漏电流)反向电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下,流过二极管的反向电流(有点反向漏电流的感觉)。反向电流越小,管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系(所以设计时要考虑裕量),大约温度每升高10,反向电流增大一倍。 例如2AP1型锗二极管,在25时反向电流若为250uA,温度升高到35,反向电流将上升到 500uA,依此类推,在75时,它的反向电流已达8mA,不仅失去了单方向导电特性,还会使管子过热而损坏。又如,2CP10型硅二极管,25时反向电流仅为5uA,温度升高到75时,反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。 管压降硅二极管(不发 光 类型)正向管压降0.7V,锗管正向管压降为0.3V,发光二极管正向管压降为随不同发光颜色而不同。 红色发光二极管的压降为2.0--2.2V,黄色发光二极管的压降为1.8—2.0V,绿色发光二极管的压降为3.0—3.2V,正常发光时的额定电流约为20mA。 贴片二极管电流一般在3-8mA,压降1.7至1.8V左右。 反向恢复时间开关损耗增加、电压尖峰和EMI、器件可靠性问题 在高频设计中必须选用肖特基或者快恢复二极管 从二极管正向电流过零开始,到反向恢复电流衰减到规定小值(通常为反向峰值电流的 10% 或 25%)所经历的时间。 反向恢复现象的本质:外部电压突然反向时,需要先清除存储的少数载流子
Q_rr:反向恢复电荷量 不同二极管反向恢复时间的区别
反向恢复时间受哪些因素影响器件结构
正向电流大小
di/dt(换向速度)
温度
二极管有哪些种类功率整流应用场景:AC/DC变换、DC/DC变换、防反接、续流。 核心关注点:正向压降 (V_F) 和 反向恢复时间 (t_{rr})。 普通整流二极管(General Purpose Rectifier) 代表型号:1N400x系列 (如1N4007), 1N5408。 特点:工艺成熟,PN结结构。 优点: 耐压高:轻松做到1000V甚至更高。 便宜:价格极其低廉。 抗冲击能力强:耐浪涌电流能力较好。
缺点: 快恢复/超快恢复二极管(FRD / Ultra-Fast Recovery) 代表型号:FR107, HER系列, UF4007, MUR系列 (如MUR460), ES1J。 特点:在PN结中掺杂金或铂,减少少数载流子寿命。 优点: 缺点: 硬恢复是指在正向电流不为0的时候,电压就突然反向。 肖特基二极管(Schottky Barrier Diode, SBD) 代表型号:1N5819, SS34, SR560, MBR系列。 特点:金属-半导体结(不是PN结),多数载流子导电。 优点: 缺点: 电压调节与保护应用场景:稳压、过压保护、静电防护。 齐纳二极管 / 稳压二极管(Zener Diode) 工作原理:利用PN结的反向击穿状态(齐纳击穿或雪崩击穿)。 优点: 电路简单,一个元件即可实现基准电压。 电压范围广(2V ~ 200V都有)。
缺点: TVS 二极管 (瞬态抑制二极管)工作原理:雪崩效应,类似稳压管,但设计用于瞬间吸收巨大能量。 优点: 缺点: 信号与开关应用场景:逻辑电路、小电流整流、检波。 小信号开关二极管代表型号:1N4148 (被称为“万能二极管”)。 优点: 速度极快:t_{rr} ≈ 4ns。 结电容极小:适合高频信号处理。 极其便宜。
缺点: 典型的电路应用整流电路-反激输入端一般直接选芯片,选型依据是耐压和额定电流; 副边的一般是肖特基,选型依据是反向耐压和额定电流;
续流与钳位(Freewheeling & Clamping) 续流二极管:配合电感/继电器使用,消除反向电动势(Buck电路、继电器驱动)。
RCD 钳位:在反激电源原边吸收漏感尖峰。
二极管的封装封装的核心意义在选型时,封装不仅仅代表元件的尺寸(Size),它在工程上直接决定了三个核心指标: 电流承载能力:封装越大,内部晶圆(Die)越大,引脚越粗,允许流过的电流越大。 散热能力 (P_D):二极管是发热大户(P_{loss} = I_{load} times V_F)。封装决定了热阻 (R_{theta JA}),即热量散发出去的快慢。 PCB空间与装配:决定了是需要打孔(插件)还是直接贴装(SMD),以及占用板子的面积。
贴片封装 ( SMD )SMA / SMB / SMC外形一模一样(矩形黑色塑料),只是体积依次变大。 A<B<C 选型经验:
小信号封装SODSOD-123 / SOD-323:体积极小。
功率贴片 (Power SMD)当电流 > 5A 时,普通的 SMC 封装散热已不足,需要使用带底部散热焊盘 (Thermal Pad) 的封装。 TO-252 (D-PAK):剪了腿的 TO-220 缩小版。电流 5A~15A。 TO-263 (D2-PAK):剪了腿的 TO-220 原大版。电流 10A~30A。 注意:这两种封装必须在 PCB 上铺足够面积的铜皮来散热,必要时需打过孔到背面散热。
插件封装 (THT) —散热高压轴向引线
适用场景:需要外加散热片、高压输入端、抗震动要求不高的大电源。 DO-35 / DO-41:细玻璃管或小黑管。对应 1N4148 (DO-35) 或 1N4007 (DO-41)。电流 1A。 DO-15:比 DO-41 稍粗。对应 FR207。电流 1.5A ~ 2A。 DO-201AD (DO-27):很粗的圆柱体。对应 SR560, 1N5408。电流 3A ~ 5A。
大功率三极管外形长得像三极管/MOS管,但实际是二极管。 TO-220AC / TO-220AB:最经典。 AC:两脚,单管。
AB:三脚,内部是两只二极管共阴极(对管)。
能力:配合散热片,轻松处理 10A ~ 40A 电流。 TO-247:巨型封装,用于千瓦级电源,电流 40A+。
反激电源中二极管封装选型
副边整流二极管反激电源中电流最大、发热最严重的地方; 以72w的电源为例,24V×3A 电压和电流应力
定封装要处理的功耗大约是:P ≈ 3A × 0.8V = 2.4W(如果是快恢复则是 3W+)。 2.4W 的热量,靠小贴片是散不出去的。
RCDRCD 二极管推荐优先使用插件 FR107。如果空间受限必须用贴片 RS1M,务必注意焊盘间距需 >3mm 或开槽处理,并注意与发热电阻的热隔离。 既然电流小(RCD二极管平均电流通常不到 0.5A),热量也不大,为什么在很多电源(尤其是几十瓦到几百瓦的适配器)里,RCD 二极管FR107 还是要用 DO-41 的插件封装,而不直接用 RS1M (SMA) 贴片呢? 其实,这里主要不是为了“散热”,而是为了“安规距离”、“PCB走线”以及“被邻居连累”。
二极管截止时,承受电压 ≈ V_{IN_MAX} + V_{OR} 这里二极管处理的电流小,主要是耐压; 耐压:速度:电流:虽然平均电流很小,但它流过的是脉冲尖峰电流,通常选 1A 即可。 贴片和插件之间的抉择
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