场效应开关管被损坏的原因通常有以下几种

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场效应开关管损坏的原因有哪些？
场效应开关管被损坏的原因通常有以下几种:①过压损坏当场效应管漏源极出现一个超出场效应管额定电压的浪涌电压时，能量达到一定时，就会雪崩击穿损坏。比如由高频变压器漏感产生的尖峰电压。②MOS管发热损坏通常有以下情况:开关损耗过大：高频开关时，在导通/关断的过渡期内电压与电流重叠产生损耗，频率越高损耗越热。导通损耗高：负载电流大，或驱动电压（Vgs）不足导致导通电阻（Rds(on)）增大，从而产生焦耳热。驱动问题：驱动电压不足、开关过程过慢或产生寄生振荡，都会加剧损耗。散热不足：即使功耗在理论范围内，若散热设计不良（如导热路径差、风冷不足），热量无法及时散出，结温持续累积仍会导致热击穿。③体二极管损坏体二极管损坏后造成MOS管失效④寄生振荡造成MOS管损坏这通常发生在功率MOS管并联使用时，未串入栅极驱动电阻而产生的寄生振荡造成的。⑤由栅极电涌及静电损坏如果MOS管未加保护，存在栅极浪涌电压及静电，也会引起栅极破坏而损坏。

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