电磁炉高压保护电路一例

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该电磁炉高压保护电路的核心作用是防止IGBT（绝缘栅晶体管）因集电极电压过高而击穿。其结构主要由分压采样网络、限流电阻及MCU内部比较控制单元构成。

电路结构：
IGBT（Q）的集电极与炉盘线圈（L）、谐振电容（C5）相连。分压电阻R4、R15、R16串联后接在IGBT集电极与地之间，其中R15与R16的连接点作为采样点，经限流电阻R18连接至MCU的第18脚（VoLH高压保护引脚）。驱动对管Q1、Q3用于控制IGBT的导通与关断。
如图示


工作原理：
当IGBT导通时，310V电压经L、IGBT集电极-发射极到地形成回路，L储存能量。IGBT关断后，L产生反向自感电动势，与C5上电压叠加，使集电极电压瞬时上升至上千伏，威胁IGBT安全。

此时，该高压经R4、R15、R16串联分压，在R15和R16之间形成与集电极电压成正比的采样电压。此采样电压通过R18送至MCU的第18脚。

MCU内部将此电压与预设阈值比较：若采样电压过高（表明集电极电压超过1100V阈值），MCU立即自动调整PWM脉冲的占空比，缩短高电平脉宽，从而减少驱动信号的高电平时间。这会使IGBT的导通时间变短，L的充电时间随之缩短，从而降低关断时产生的反向电动势峰值，使IGBT集电极电压回落至安全范围。

该保护机制实时闭环监测，有效避免了IGBT因过压而损坏，保障电磁炉稳定运行。

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