电磁炉基本原理介绍
1.电磁炉加热和工作原理简介 v 1.1电磁炉加热和工作原理简介; v1.2 电磁炉原理方框图; v1.3 LC振荡电路; 2.电磁炉主要元件介绍 v 2.1 QF808单片机简介; v2.2 RS2007M整流桥介绍; v2.3 LM339集成电路介绍; v2.4 IGBT简介; v2.5 74HC164移位寄存器介绍; 2.1 QF808单片机简介 QF808为前锋和台湾中颖共同研发的一款单片机,存储器大小为64K bitsROM,里面集成5个比较器,6通道8位ADC转换,2个8位定时计数器,8位高速PWM脉冲输出,内部频率复合放大器,在线振荡时钟电路,在线看门狗定时器,采用低电压复位; 2.2 RS2007M整流桥介绍; 电压输入范围为50到1000V,承受电流最大为20A;特点为输出电流大,抗大电流冲击能力强,能承受较高的峰值反向电压; 2.3 LM339集成电路介绍 LM339内置四个翻转电压为6mV的电压比较器,当电压比较器输入端电压正向时(+输入端电压高于-入输端电压), 置于LM339内部控制输出端的三极管截止, 此时输出端相当于开路; 当电压比较器输入端电压反向时(-输入端电压高于+输入端电压), 置于LM339内部控制输出端的三极管导通, 将比较器外部接入输出端的电压拉低,此时输出端为0V。 2.4 IBGT简介 绝缘栅双极晶体管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)简称IGBT,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压高速大功率器件;IGBT有三个电极,分别称为栅极G(也叫控制极或门极) 、集电极C(亦称漏极)及发射极E(也称源极),将场效应管作为推动管,大功率达林顿管作为输出级就构成了IGBT开关管; 2.5 74HC164移位寄存器介绍 74HC164为8位移位寄存器,现有电磁炉的面板显示项目较多,对单片机端口要求叫多,而现有单片机端口有限,为了达到显示电路的控制,现需要采用移位寄存器来扩展控制口;74HC164是8为串行输入并行输出单向移位寄存器;A,B为串行码输入端,MR为清零输入端,CLJ为时钟脉冲的输入端,IC紧接着时钟脉冲上升沿的到来,A,B相与后状态依次由Q0移向Q7; 3.电磁炉电路各模块原理讲解 3.1 EMC防护电路和整流电路
3.2 高频谐振电路 市电经DR001整流后经L001加到由C003,IGBT,线盘QF-20FR,C005组成的高频谐振回路中,具体谐振过程参考谐振第一章谐振波形。ZD801为IGBT,G基电压保护稳压二极管,保证IGBT的驱动电压不超过稳压值。此电路选用16V稳压; 3.3 驱动电路 驱动方波直接由单片机的3脚输出,当单片机输出高电平时,Q803饱和导通Q801,Q802基极电压为低电平,Q801三极管截止,Q802为射随放大电路,基极为低,发射极为低。IGBT,G为低电平,IGBT截止;当单片机输低电平时Q803截止,+15V经R29加到Q801,Q802基极,Q802三极管截止,Q801三极管导通,15V电压经Q801加到IGBT,G极。单片机根据不同的功率,输出不同占空比的电压方波信号,Q803,Q802,Q801重复上述过程; 3.4 同步电路及反压保护电路
2. 反压保护电路,当IGBT,C极电压高于IGBT极限值时(1200V)IGBT很容易损坏。电路在设计时加了保护电路。当C极过高时,通过R001,R305与R306分压后送给单片机,18脚的电压也紧接着升高,单片机检测到此信号时,PWM输出做调整(降功率或停止加热)以保护IGBT不会过压损坏。 3.5 温度检测电路 |
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