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电磁炉电路工作原理分析与讲解

2018-2-25 10:21| 发布者: 南召修电视| 查看: 3137| 评论: 0

摘要: 电磁炉基本原理介绍电磁炉加热和工作原理简介;电磁炉主要元件介绍;电磁炉电路各模块原理讲解;1.电磁炉加热和工作原理简介v1.1电磁炉加热和工作原理简介;v1.2电磁炉原理方框图;v1.3LC振荡电路;2.电磁炉主要元件 ...

电磁炉基本原理介绍

  • 电磁炉加热和工作原理简介;

  • 电磁炉主要元件介绍; 

  • 电磁炉电路各模块原理讲解;

1.电磁炉加热和工作原理简介

v 1.1电磁炉加热和工作原理简介;

v1.2 电磁炉原理方框图;

v1.3 LC振荡电路;

2.电磁炉主要元件介绍

v 2.1 QF808单片机简介;

v2.2 RS2007M整流桥介绍;

v2.3 LM339集成电路介绍;

v2.4 IGBT简介;

v2.5 74HC164移位寄存器介绍;

2.1 QF808单片机简介

QF808为前锋和台湾中颖共同研发的一款单片机,存储器大小为64K bitsROM,里面集成5个比较器,6通道8ADC转换,28位定时计数器,8位高速PWM脉冲输出,内部频率复合放大器,在线振荡时钟电路,在线看门狗定时器,采用低电压复位;

2.2 RS2007M整流桥介绍;

电压输入范围为50到1000V,承受电流最大为20A;特点为输出电流大,抗大电流冲击能力强,能承受较高的峰值反向电压;

2.3 LM339集成电路介绍

LM339内置四个翻转电压为6mV的电压比较器,当电压比较器输入端电压正向时(+输入端电压高于-入输端电压), 置于LM339内部控制输出端的三极管截止, 此时输出端相当于开路; 当电压比较器输入端电压反向时(-输入端电压高于+输入端电压), 置于LM339内部控制输出端的三极管导通, 将比较器外部接入输出端的电压拉低,此时输出端为0V。

2.4 IBGT简介

绝缘栅双极晶体管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)简称IGBT,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压高速大功率器件;IGBT有三个电极,分别称为栅极G(也叫控制极或门极) 、集电极C(亦称漏极)及发射极E(也称源极),将场效应管作为推动管,大功率达林顿管作为输出级就构成了IGBT开关管;

2.5 74HC164移位寄存器介绍

74HC164为8位移位寄存器,现有电磁炉的面板显示项目较多,对单片机端口要求叫多,而现有单片机端口有限,为了达到显示电路的控制,现需要采用移位寄存器来扩展控制口;74HC164是8为串行输入并行输出单向移位寄存器;A,B为串行码输入端,MR为清零输入端,CLJ为时钟脉冲的输入端,IC紧接着时钟脉冲上升沿的到来,A,B相与后状态依次由Q0移向Q7;

3.电磁炉电路各模块原理讲解

3.1 EMC防护电路和整流电路

FUSE1为保险管,其规格为15A/250V,此款电磁的最高功率为2100W,AC220V其工作的最大电流为9.6A,正常状态下,不会超过保险管的正常值。电路发生异常时,如IGBT击穿,电流猛增,超过保险管的工作极限值,保管熔断,保护其他电路。C001电容的作用是EMC防护,该电容能防止电磁炉产生的高频干扰窜入电网我,干扰其他电器,又防止市电中的干扰脉冲窜入电磁炉电路,影响其工作。CNR002是压敏电阻只要外部输入电压峰值超过压敏电阻的标称耐压值,压敏电阻立即击穿,保险管熔断,保护后级电路免于过压损坏。整流桥的作用将AC220V整流成脉动直流。

3.2 高频谐振电路

市电经DR001整流后经L001加到由C003,IGBT,线盘QF-20FR,C005组成的高频谐振回路中,具体谐振过程参考谐振第一章谐振波形。ZD801为IGBT,G基电压保护稳压二极管,保证IGBT的驱动电压不超过稳压值。此电路选用16V稳压;

3.3 驱动电路

驱动方波直接由单片机的3脚输出,当单片机输出高电平时,Q803饱和导通Q801,Q802基极电压为低电平,Q801三极管截止,Q802为射随放大电路,基极为低,发射极为低。IGBT,G为低电平,IGBT截止;当单片机输低电平时Q803截止,+15V经R29加到Q801,Q802基极,Q802三极管截止,Q801三极管导通,15V电压经Q801加到IGBT,G极。单片机根据不同的功率,输出不同占空比的电压方波信号,Q803,Q802,Q801重复上述过程;

3.4 同步电路及反压保护电路

1. 同步:在不同功率状态下IGBT的驱动信号应当与加热线盘的状态保持协调(保持IGBT,C极为低电平时,IGBT才导通),完成协调任务的电路常称之为同步电路。当IGBT管饱和导通时加热线圈两端的电压极性为A1+,A2-,正电压经R005,与R301,R302分压后加到单片20脚,负电压经过R001,R003与R304分压后加到单片机19脚;IGBT截止时,线盘电流不能突变,给电容C3充电,线盘A2+,A1-,加在单片19脚,20脚电压反转,单片机根据19脚20脚电压的变化,输出PWM驱动信号;

2. 反压保护电路,当IGBT,C极电压高于IGBT极限值时(1200V)IGBT很容易损坏。电路在设计时加了保护电路。当C极过高时,通过R001,R305与R306分压后送给单片机,18脚的电压也紧接着升高,单片机检测到此信号时,PWM输出做调整(降功率或停止加热)以保护IGBT不会过压损坏。

3.5 温度检测电路


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