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（接上期本版） LD7537S集成电路使用了8引脚DIP封装和6引脚SOT-26封装两种封装形式，见图1.7：
图1.7 LD7537S封装图 芯片上标注的YY、Y为生产年份，如D表示2004年、E表示2005年等等；WW、W为星期代码；PP为生产日期代码；P37S表示芯片型号LD7537S。8引脚DIP封装形式的LD7537S集成电路的后缀为GN，6引脚SOT-26封装LD7537S集成电路的后缀为GL。FSPS35D-1MF190电源组件选择使用了SOT-26封装的LD7537S GL，其体积和常用的贴片三极管MMBT3904/MMBT3906大小基本等同。LD7537SGL引脚功能见表1.1： 表1.1
LD7537S集成电路的特点： ◆ 宽电源电压（10V~24V）。 ◆ 超低启动电流（< 20μA）。 ◆ 电流控制模式。 ◆ 绿色模式控制。 ◆ UVLO（欠压锁定）。 ◆ LEB（CS引脚前沿消隐）。 ◆ OVP（过电压保护）。 ◆ OLP（过负载保护）。 ◆ OTP过热保护（工作结温-40℃~125℃，结温140℃过热保护（OTP），过热保护滞后30℃）。 ◆ 驱动能力强（300毫安）。 ◆ 软启动功能（软启动时间为2mS）。 LD7537S集成电路内部功能框图如图1.8所示：
图1.8 LD7537S内部功能框图 如图1.5所示（图见上期），整流滤波之后的300V直流电经开关变压器T1的5脚为初级储能绕组（4－5脚绕组）提供能量，绕组下端接MOS开关管Q2漏极。当芯片LD7537S输出PWM驱动脉冲，控制开关管导通时，4－5脚绕组储能；当开关管截止时，4－5脚绕组释放能量，并反复循环，这样就会在T4初级形成交变电流，进而形成交变磁通。次级的1－2脚绕组、9（10）－12脚绕组、12－7脚绕组就会感应产生交变的感生电动势，并经二极管整流、电容滤波形成平滑的直流电。 1）启动电路、Vcc欠压保护 市电交流半波电压经电阻R3（620KΩ）、R4（620KΩ）、二极管D5为集成电路U1（LD7537S）的5脚提供启动供电。 LD7537S集成电路Vcc引脚内部集成了一个施密特触发器，该施密特触发器的两个触发阀值分别为16.0V和8.5V。通电后，Vcc引脚电压依靠R3、R4、D5对电容EC2（2.2μF）、C2（0.1μF）充电而形成。在市电欠压检测脚（BNO）正常的的情况下，Vcc引脚上的电压紧接着充电时间的加长而上升，当Vcc电压上升到16.0V时，施密特触发器输出电平翻转，控制LD7537S进入正常工作状态，然后从6脚输出PWM脉冲。在此期间，LD7537S仅向Vcc引脚吸取小于20μA的电流，为确保正常启动，R3、R4的阻值之和应控制在540KΩ~1.8MΩ范围之内。当二次供电形成之后，Vcc引脚依靠二次供电提供能源。 LD7537S进入正常工作状态之后，若电路出现故障或保护性停止振荡等因素导致Vcc电压下降，Vcc电压低于8.5V后才会触发施密特触发器进行状态翻转，进入Vcc欠压保护，关闭PWM输出脉冲。Vcc欠压保护具有锁存特性：当Vcc低于8.5V执行欠压保护之后，即使Vcc电压恢复到稍高于8.5V，IC仍维持保护状态。当Vcc电压继续上升并上升到稍高于16.0V时，施密特触发器才会发生状态翻转而进入到正常工作状态，施密特触发器状态翻转后，Vcc欠压保护自动失效。 2）二次供电电路、Vcc过压保护 1－2绕组上的感应电动势经D2、EC3、D1、EC2、C2整流滤波，经电阻R2限流、稳压二极管ZD1，作简易并联稳压形成U1工作所需的约13V的二次供电。C3用于抑制D2两端电压突变，达到保护D2的作用。实际电路中，ZD1并未装入。 Vcc电压升高时，6脚输出的PWM脉冲电平幅度将跟随升高，过高的驱动电平值可能超过MOS管栅极（G）所能承受的极限值，导致MOS管永久性损坏，因此必须防止Vcc过压。LD7537S集成电路具有过压保护（OVP）功能，这一功能是通过监测Vcc引脚电压来实现的。Vcc引脚在IC内部与26V的参考电压进行比较，当Vcc电压高于26V并持续64μS以上时间时，比较器翻转，触发保护电路进行保护，停止输出PWM驱动脉冲，可以防止MOS管栅极驱动电平幅度过高而损坏MOS
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