| 1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V；锗二极管的门槛电压约为0.1V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.2V。
2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。
3、二极管的最主要特性是单向导电性。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。PN具有具有单向导电特性。7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为0.7伏；其门坎电压Vth约为0.5伏。8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（P）半导体和电子（N）半导体两大类。11、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性的 最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。12、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V。13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响应。15、N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为甲类、乙类、 甲乙类三种基本类型。17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路电容，影响高频信号放大的是结电容。18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，假如电路的其它参数不变，三极管的β增加，则IBQ增大，ICQ增大，UCEQ减小。19、三极管的三个工作区域是截止，饱和，放大。集成运算放大器是一种采用直接耦合方式的放大电路。20、某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压Va = 1.2V， Vb = 0.5V, Vc = 3.6V, 试问该三极管是硅管管（材料），NPN型的三极管，该管的集电极是a、b、c中的C。21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为80dB，总的电压放大倍数为10000。22、 三极管实现放大作用的外部条件是：发射结正偏、集电结反偏。某放大电路中的三极管，测得管脚电压Va = -1V，Vb =-3.2V, Vc =-3.9V, 这是硅管（硅、锗），NPN型，集电极管脚是a。23、三种不同耦合方式的放大电路分别为：阻容（RC）耦合、直接耦合和变压器耦合，其中直接耦合能够放大缓慢变化的信号。24、在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的负载，而前级的输出电阻可视为后级的信号源的内阻。多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带要窄。25、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为4kΩ。①发射结正向偏置，集电结反向偏置。②对于ＮＰＮ型三极管，应使VBC＜0。 |
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