SATA彻底凉凉！三款廉价NVMe固态硬盘横评

NVMe SSD是固态硬盘技术的一次革命，使用高带宽PCIe通道取代传统SATA、专用于闪存的NVMe协议取代机械硬盘时代的AHCI，硬盘读写性能获得飞速提升。而紧接着HMB主机内存缓冲技术的成熟，原本就只剩价格优势的SATA固态硬盘即将被NVMe一波带走。

存储极客选取了三种常见入门级NVMe固态硬盘进行对比测试，分别是东芝RC100 240G、某贴牌NV1160主控240G、金士顿A1000 240G。三者都使用PCIe 3.0 x2接口，RC100与NV1160采用了HMB主机内存加速技术，A1000则是传统外置DRAM缓存方案。

什么是HMB？

HMB（Host Memory Buffer）主机内存缓冲是在NVMe驱动程序的支持下，允许NVMe固态硬盘远程调用电脑主内存中的一小段保留空间，起到DRAM外置缓存的作用。HMB可以节省固态硬盘成本，同时又不影响性能发挥，但对固件设计提出了一定的技术要求。

对于普通用户而言，大家不必过多了解它的具体实现原理，只需知道HMB特效需要Win 10系统才能发挥作用就可以了。

硬件规格对比

三个型号当中，RC100作为东芝原厂产品，使用了主控闪存融合封装，整块SSD只需一颗芯片；NV1160主控方案由一主控和4颗闪存组成240G容量；PS5008-E8主控方案由于包括外置缓存，PCB是三块固态硬盘当中看起来最拥挤的。

这次对比的三颗NVMe固态硬盘还有一个共同特点：它们都使用了带有2个缺口的M.2接口（B Key+MKey），使用PCIe 3.0 x2通道，属于入门级NVMe固态硬盘当中的高性价比类别。相比常规x4通道的NVMe固态硬盘，x2通道在顺序读写速度上会略低一些，但不会伤及对日常使用影响最大的随机读写性能。

性能对比测试

从CrystalDiskMark理论带宽测速来看，三块PCIE 3.0 x2接口的固态硬盘都能发挥出接口应有的顺序读写带宽，4K Q1单线程随机读写性能东芝RC100更强，4K Q8T8多线程读写性能则是拥有外置DRAM缓存的PHISON E8最高。

理论读写速度都有一定迷惑性，因为实际使用跟理论跑分不太一样。接下来是PCMark 7存储评分。

在以Windows 7时代软件应用为模拟对象的PCMark 7测试当中，东芝RC100遥遥领先第二名PS5008方案，Marvell NV1160方案则继续垫底。

PCMark 8测试的内容更新到了Windows10时代，更加贴近当前电脑软件对硬盘的负载水平，其中包括了游戏加载、设计以及办公类应用，覆盖全面。

PCMark 8的成绩有总分和带宽两个部分，和PCMark 7相比没有太多意外，性能表现上依然是RC100>PS5008>NV1160。

这次对比的三块固态硬盘都使用了64层堆叠闪存，可谓是力均势敌。不过从细节来说，只有东芝RC100的闪存是东芝原片（BiCS 3D闪存），性能发挥上也最为出色。金士顿A1000使用的PS5008搭配了第三方封装的东芝闪存，性能接近RC100。贴牌NV1160固态硬盘搭配的则是Spectek封装的美光降级片（不符合美光原厂自用标准，经过重新回收分级）中的AF级别，也就是适合优盘/存储卡的等级，虽然价格便宜，性能表现不是很好，同是闪存寿命也存在一些不确定性。如何取舍就看大家自己的选择了。