固态硬盘上4D NAND？是时候了

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据说，SK Hynix 公司在争分夺秒地利用时间，倾注于其最新的SSD存储器技术：4D NAND。

在解决了时空奥秘之后，这家科技巨头利用了新掌握的技术，再利用其擅长的方法，去操纵存在的结构——为固态硬盘制造更小的存储器芯片。

4D NAND 这个名字，或许是传统命名规则上的又一次严重的越界，也或者说这是一种营销策略。目的是推销NAND设计上的变化，与欧几里得空间和时间在四维流形中结合在一起几乎无关。全球顶尖的数学家和物理学家偶尔会把四维流形称为时空连续体。

SK Hynix 已经开始量产 4D NAND了，这种结构的优势在于它允许巨大容量的存储器将芯片面积减少30%。尽管这看起来好像和在半导体上花时间没太大关系。

其实不然，这要归功于新的结构设计，由于将外围电路置于CTF NAND (电荷阱闪存) 的阵列之下，从而节省了芯片上的空间，并降低了生产成本。根据 SK Hynix 的报告，与 72 层 3D NAND 相比，每晶圆片的钻头生产率提高了49%，这都要归功于这种创新的设计。

第一款对外推出的 NAND 将是基于该公司TLC (三级单元) 技术的 96层 512Gb 芯片。与 SK Hynix 的 72层 512Gb 芯片相比，前者的写入速度提高了 30％，读取性能提高了 25％ —— 这得益于被增大了两倍的数据带宽。

3D NAND 的命名是基于由多层 NAND 单元组成的结构而来。而在 3D NAND之前，芯片容量是通过在一个平面的2D裸片模具上封装更多的单元来增加的。这种方式最终变得有些麻烦，导致了一些本该避免的问题的出现。最终，3D NAND 在这种种的限制中诞生。

预计明年，将会是全球NAND市场的重要一年。今年有多份行业报告预测全球NAND芯片供应过剩，这将会让明年的价格重新建立平衡。同样乐观的是，DRAM价格上个月下跌了10％。

QLC 的产能预计将会在明年全面铺开。这种存储器技术，将以牺牲少量可靠性及性能为代价，来提高驱动能力。将HDD和SSD的最好的部分融合到一个高容量封装中。QLC如今可以在几个驱动器内使用。到了明年，存储器技术有望在消费市场上大放异彩。

4D NAND 芯片的批量生产将在今年年底前提速，目标是在某个特定时刻将 1Tb高容量芯片的产能提高一倍。然而，对于我们这些游戏玩家来说，QLC 和 4D NAND 的结合确实非常值得关注。

内容来源：

https://www.pcgamesn.com/sk-hynix-4d-nand-ssd

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