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它就是一个以b(基极)电流lb来驱动流过CE的电流Ic的器件，它的工作原理很像一个可控制的阀门。
左边细管子里藍色的小水流冲动杠杆使大水管的阀门开大，就可允许较大红色的水流通过这个阀门。当蓝色水流越大，也就使大管中红色的水流更大。如果放大倍数是100,那么当蓝色小水流为1千克/小时，那么就允许大管子流过100千克/小时的水。三极管的原理也跟这个一样，放大倍数为100时，当lb(基极电流)为1M时，就允许100mA的电流通过Ice。我这么说大家能理解吗？ 这个原理大家可能也都知道，但是把它用在电路里的状况能理解，那单片机的运用就少了一大障碍了。最常用的连接如下图。
共发射极电路NPN管，ib变大时，实质上是给基区注入空穴，如果是这样的话，注入的空穴将会中和更多发射极过来的电子，理论上ic便会变得更小才对啊，为什么ic还会以相应倍数P放大呢？ 图中所画的是三极管内部电流流向【NPN型管，箭头指向代表电流方向】，现在基极电流增大到2,说明在基区有更多的电子被基区空穴所复合，按理来说，集电极电流应该减少啊【因为有更多的电子在基区被复合，流到集电区的电子就少了】，但是现实情况却是集电极电流被放大到了6。显而易见，我在增大基极电流的同时，发射极电流也在增大，并且基极电流增大一倍，发射极电流也增大一倍，这是为什么？ 换句话说，我增大基极电流一倍，则从发射区到达基区的电子将会被多出一倍的空穴所复合，但是，又是什么原因使得此时此刻发射极发射出了比原来多出一倍的电子，比如右图比原来【左图】多出了1个单位的电子被基区空穴复合，但同时，发射区却多射出了4个单位的电子。我人为的增加了1个单位的基极电流，而发射极却多射出了4个单位的电子，增加了4单位的电流，why? 不要用公式ie=ib-ic=(1+3)ib说明，请从三极管内部载流子的微观运动情况加以分析说明.
由于发射结处于正向偏置，多说载流子的扩散运动加强，发射区的多说载流子（电子）向基区扩散（称为发射），同样基区的多数载流子（空穴）也向发射区扩散，但由于发射区的电子浓度远远高于基区的空穴浓度，两者比较可忽略基区空穴向发射区的扩散。由于两个电源Eb和Ec的负极接在发射极，所以发射区向基区发射区向基区的电子都可以从电源得到补充，这样就形成了发射极电流le. 2、电子在基区的扩散与复合 从发射区发射到基区的电子到达基区后，由于靠近发射结附近的电子浓度高于靠近集电结附近的电子浓度，所以这些电子会向集电结附近继续扩散。在扩散的过程中，有小部分电子会与基区的空穴复合，由于电源Eb的正极与基极相连，这些复合掉的空穴均可由Eb补充，因而形成了基极电流lb。
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