DDR3内存、SLC/MLC固盘重新出山

紧接着整个行业已经全面转向DDR4内存，不少厂商都陆续停产了DDR3，并准备好了迎接DDR5，但对于很多特殊用户，尤其是网络和嵌入式领域，仍然对DDR3有着强劲且持续的需求。

工业内存存储厂商ATP Electronics今天宣布了自己研发的高密度8Gb DDR3颗粒，并承诺会确保DDR3内存的持续供应。

ATP这种内存采用了精心挑选和测试的高质量IC，采用2xnm工艺制造，整个模组也经历了广泛和深度的测试验证，并且不存在Row Hammer漏洞，不会导致数据泄露。

该内存提供多种规格可选，1CS单芯片封装的支持DIMM、SO-DIMM、Mini-DIMM规格，容量16GB，频率1600MHz，2CS双芯片封装的有16/32GB 1333/1600MHz DIMM、8GB 1600MHz Mini-DIMM，都可选是否支持ECC。

不过由于主要针对行业用户，ATP DDR3内存不会出现在零售市场上。

2018年9月，ATP曾与美光签署合作协议，在美光停产DDR2 SO-DIMM、UDIMM、RDIMM内存之后，自己继续生产DDR2内存，更早还获得了美光SDR、DDR内存模组的制造授权。

SLC/MLC闪存固盘重新出山：价格咋舌

Intel Optane（傲腾）似乎是不错的点子，现在西部数据（Western Digital）也要入局开发竞品了，主打低延迟、高性能和长寿命。

本周举办的的存储日上，正开发每GB成本介于DRAM内存和传统3D闪存之间的LLF（Low Latency Flash）存储芯片，采用SLC或者MLC颗粒，延迟在微秒级。

以Intel目前的傲腾产品为例，读写延迟基本在10μs以内。

不过价格方面，虽然只有DRAM内存的1/10，但却是普通3D闪存的20倍，显然对普通消费者相当不友好。

按照西数给出的PPT，LLF NAND的第一代属于东芝BiCS 4闪存家族，也就是已经可以量产。看起来，它和东芝开发的XL Flash低延迟3D NAND同宗同源，目标对手都是Intel傲腾和三星Z-NAND SSD。